[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[16p-W8E_101-15] 光支援C-V測定によるSiO₂/SiC界面発光中心の深い準位評価

〇大西 健太郎¹、朽木 克博²、原 征大¹、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大院工、2.豊田中研)

キーワード：

SiO2/SiC 界面、単一光子源