[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:15 〜 14:30

[16p-W8E_101-2] GaN-HEMTターンオフスイッチングにおける電圧サージによる破壊の挙動

〇齋藤 渉¹、西澤 伸一¹ (1.九大応力研)

キーワード：

GaN-HEMT、過電圧ストレス、アバランシェ降伏

GaN-HEMTは、低オン抵抗・高速スイッチングにより高効率な電力変換を実現するパワーデバイスとして実用化が始まっている。しかし、高電圧印加によりアバランシェ降伏が発生すると、素子が破壊するという問題がある。これまでに、小電流における繰り返し過電圧ストレス印加によるGaN-HEMTの破壊過程が報告されている。本発表では、大きな電流が流れている状態で過電圧ストレスが印加された際のGaN-HEMTの破壊の挙動について報告する。