[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:30 〜 14:45

[16p-W8E_101-3] 4H-SiC UMOSFETのゲートスイッチング時の発光とGSIのモデル

〇熊谷 直樹¹、染谷 満¹、平井 悠久¹、岡本 光央¹、畠山 哲夫² (1.産総研、2.富山県立大学)

キーワード：

シリコンカーバイド、ゲートスイッチング不安定性、発光スペクトル

SiC-MOSFETにおけるGSI（Gate Switching Instability）のモデルとして再結合発光とAuger再結合のエネルギーのより反転層電子が酸化膜中に注入されるとする光支援∔Auger再結合モデルを提案している。本報告では4H-SiC UMOSFETのスイッチング時発光スペクトルの各種依存性等がこのモデルで説明可能であることを示す。