[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

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[16p-W8E_101-6] 高温Ar雰囲気中のSiO2分解過程に伴う4H-SiC中の炭素関連欠陥生成の異常促進とそのSiO2形成手法による違い

〇(D)蘇 楠¹、呂 楚陽¹、田村 敦史¹、喜多 浩之¹ (1.東大院新領域 物質系専攻)

キーワード：

SiO2/SiC界面、4H-SiC

SiC上に熱酸化またはALD堆積により形成したSiO2を剥離せずに高温Arアニールを行うと，SiO2/SiC界面でSiOの生成と脱離が進行する。その過程に伴ってSiC表面近傍にC関連欠陥の生成が異常に促進されることを，FTIR測定から明らかにした。また，最初に形成しておくSiO2が熱酸化膜の場合とALD膜の場合では，それらの分解・脱離に伴って生成する欠陥の量および種類に明確な違いがあった。