[16p-W8E_101-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[16p-W8E_101-7] SiO₂/SiC 構造に対する絶縁膜堆積前水素熱処理および犠牲酸化の効果

〇(B)澤田 翔斗¹、小林 拓真¹、藤本 博貴¹、原 征大¹、渡部 平司¹ (1.阪大工・院工)

キーワード：

SiO2/SiC 界面