講演情報
[16p-W8E_101-9]量産プロセス適用可能なホットウォール酸化炉を用いたSiC-MOS界面へのCO2 POA効果の検証
〇染谷 満1,2、平井 悠久1、熊谷 直樹1、矢野 裕司3、磯部 高範3、細井 卓治2,4、渡部 平司2 (1.産総研、2.阪大院工、3.筑波大、4.NIMS)
キーワード：
SiC、CO2 POA、NBTI
4H-SiC MOSデバイスにおいて、ゲートバイアスによる閾値電圧(Vth)の変動は、特に並列駆動時における電流アンバランスを引き起こす要因となるため、その抑制が必要である。我々はこれまで、従来のNOポスト酸化アニール(POA)を施したSiC-MOS界面に対し、CO2 POAを追加適用することで、Vth変動を低減できることを、実験用ランプ炉を用いて示してきた。本研究では、量産プロセスへの適用が可能なホットウォール酸化炉を用いてCO2 POAの効果を検証した結果を報告する。