[16p-W9_324-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:15 〜 16:30

[16p-W9_324-10] 減圧ホットウォールMOVPE法による2インチ径β-Ga₂O₃(010)基板上ホモエピタキシャル厚膜の成長

〇伊庭 義騎¹、寺内 悠真¹、吉永 純也^1,2、橋本 健宏³、熊谷 義直¹ (1.東京農工大院工、2.大陽日酸株式会社、3.住友金属鉱山株式会社)

キーワード：

酸化ガリウム、MOVPE

β-Ga₂O₃は次世代パワーデバイス材料として注目されており、縦型パワーデバイスの作製に向け、n型導電性が制御された厚いホモエピタキシャル層がドリフト層として求められている。今回、2インチ径のβ-Ga₂O₃(010)基板を用い、ホモエピタキシャル成長を試みたので報告する。