[16p-W9_324-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:15 〜 17:30

[16p-W9_324-13] (011)近傍面方位β-Ga₂O₃基板上HCl系ハライド気相成長とHClガスエッチング

〇大島 孝仁¹、大島 祐一¹ (1.NIMS)

キーワード：

酸化ガリウム、ハライド気相成長、エッチング