[16p-W9_324-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:45 〜 18:00

[16p-W9_324-15] VB法による直径4インチ高品質(010)β-Ga₂O₃基板の開発

〇太子 敏則¹、山本 裕貴²、清水 成宜²、水越 健輔³、西野入 隆³、干川 圭吾¹ (1.信大工、2.オキサイド、3.セラテックジャパン)

キーワード：

β型酸化ガリウム、バルク結晶成長、基板

本研究では、VB法により直径4インチのFe添加 [010] β-Ga₂O₃単結晶の育成を行い、切断、研磨により得られる高品質β -Ga₂O₃ (010) 単結晶基板について報告する。結晶は定径部の長さは30mmであり、双晶およびクラックフリーである。ウェハは両面研磨により約15arcsecの半値幅で、ウェハ全面の回折像が得られたことから、面内の結晶品質が均一で高品質であることが示された。