[16p-W9_324-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

18:00 〜 18:15

[16p-W9_324-16] VB法で育成した[010] β-Ga₂O₃単結晶中の線状ボイドの分布評価

宮城 右京¹、〇太子 敏則¹、干川 圭吾¹ (1.信大工)

キーワード：

β型酸化ガリウム、バルク結晶成長、線状ボイド

本研究では、VB法で育成した直径4インチの[010] β-Ga₂O₃単結晶中の線状ボイドの体積密度と結晶の長さ方向の分布について、光波動場三次元顕微鏡およびリン酸によるエッチングにより評価した。