[16p-W9_324-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:15 〜 15:30

[16p-W9_324-6] 酸化ガリウムのエピタキシャル成長 (3):高密度酸素ラジカル源(HD-ORS)を用いた物理蒸着法(PVD)によるSnドープGa₂O₃基板上での β‑Ga₂O₃のホモエピタキシャル成長

〇武田 友樹²、加藤 尚文²、Dhasiyan Arun Kumar¹、清水 尚博¹、小田 修^1,2、堀 勝¹ (1.名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター、2.NU-Rei株式会社)

キーワード：

酸化ガリウム、ホモエピタキシャル成長、酸素ラジカル

β‑Ga₂O₃は Si、SiC、GaN に対して優れた特性を有し、パワーエレクトロニクス分野で注目されている。MBEは超高真空で結晶成長ができるが、熱力学的に高温で成長速度は制限され、また低温では (40‑1)面への成長が優勢となる。これを克服するには、高効率な酸素プラズマ源が必要である。本研究では、O₃–O₂混合ガスから原子状酸素を生成する高密度酸素ラジカル源(HD‑ORS)をMBE より低コストでかつ酸素雰囲気中で高温成長が可能なPVD用に応用した。市販のLIA‑ICPと HD‑ORSを用いてβ‑Ga₂O₃のホモエピタキシャル成長を実証した。