[16p-W9_324-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:30 〜 15:45

[16p-W9_324-7] 酸化ガリウムのエピタキシャル成長 (4):Si基板の酸化防止のためのウェットエッチングとラングミュア吸着（エピタキシャル成長前処理）

〇小田 修^1,2、Dhasiyan Arun Kumar¹、武田 友樹²、加藤 尚文²、清水 尚博¹、堀 勝¹ (1.名古屋大学 低温プラズマ科学研究センター、2.NU-Rei株式会社)

キーワード：

酸化ガリウム、表面処理、ラングミュア吸着

Si基板は窒化物、酸化物、高誘電率膜などの化合物半導体のエピタキシャル成長やデバイス作製に広く用いられている。高品質なエピタキシャル成長膜の大きな障害は表面に存在する自然酸化膜(SiOx)であり、これが均一な核生成を妨げ、デバイス性能を劣化させる。本研究ではSiOxを除去するためにRCAベースの化学エッチングによる表面前処理法と温度上昇時の酸化を防止するためにラングミュア吸着によりGa吸着層を導入し保護膜とする手法を開発した。この方法は温度上昇時のSi酸化を効果的に抑制し、Si基板を用いる各種エピタキシャルプロセスへの広い適用性を示す。