[16p-W9_324-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:00 〜 16:15

[16p-W9_324-9] 酸化ガリウムのエピタキシャル成長 (6):p型Ga系半導体の創成におけるNiOドープ拡散層の考察

〇清水 尚博¹、Dhasiyan Arun Kumar¹、小田 修^1,2、五十嵐 信行¹、堀 勝¹ (1.名古屋大学、2.NU-Rei株式会社)

キーワード：

酸化ガリウム

Ga₂O₃およびGaN基板内に局所的または平面的なpn接合を形成する新たな方法をダイオードに適用したところ，両基板ともに導電性の優れた結果が得られた。この方法はn型基板表面からNiイオンの注入後、酸素プラズマ処理と酸素雰囲気中の熱酸化拡散処理の2段階アニールにより基板内にNi-Oのドーピング拡散層とその傾斜pn接合を形成するものである。