[17a-M_103-1~13] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

11:30 〜 11:45

[17a-M_103-10] ラジカルエッチング装置における磁場を利用したイオン遮蔽構造

〇井上 湧次¹、岩瀬 拓¹、中谷 侑亮²、園田 靖² (1.日立研開、2.日立ハイテク)

キーワード：

ドライエッチング、RAXIO、ラジカルエッチング

三次元構造化が進む半導体デバイスへの対応として、磁場を利用したラジカルエッチング装置のイオン遮蔽構造を検討した。ドライエッチング装置を用い、静磁場下でイオン遮蔽板の構造や磁場配位がイオン遮蔽性に与える影響を評価した。プラズマ生成時のイオン電流密度測定の結果、磁力線と開口部のなす角を大きくすることでイオン遮蔽性が向上し、静磁場と斜孔設計を組み合わせることで高いイオン遮蔽性が得られることを示した。