講演情報
[17a-M_103-11]RAXIO®におけるRadical/Ion switchを用いたトレンチ形状制御プロセス
〇瀧本 壽来生1、中谷 侑亮1、園田 靖1、佐藤 清彦1、岩瀬 拓2 (1.日立ハイテク、2.日立研開)
キーワード：
ドライエッチング、RAXIO、側壁エッチング制御
日立ハイテクのドライエッチング装置RAXIOでは、R/I switch機能により、RIEとRadical-etchを任意の比率で制御することができる。狭ギャップ・高アスペクト比のパターンに対するRadical-etchでは、トレンチ底部に向かって側壁エッチング量が減少する課題がある。これに対し、側壁に保護膜を堆積させるCyclic CVDと、R/I switch機能の組み合わせを検討した。