講演情報
[17a-M_103-12]2 ステップ TiN 加工法を実現するための堆積膜形成条件
〇益子 侑大1、岩瀬 拓1、佐竹 真1、園田 靖2、田中 基裕2、小藤 直行2、前田 賢治2 (1.日立研開、2.日立ハイテク)
キーワード：
ドライエッチング、RAXIO、TiNエッチング
コンタクトプラグ形成においてTiNの平坦加工が必要である。そこで、我々はTiN上に厚さ10 nm以上の堆積膜を形成した後，堆積膜越しにTiNを加工する2ステップ加工法を提案し，その有効性を実証した。今回はこの特徴である堆積膜形成条件を検討した。その結果，2 Pa以下の低圧条件でSi系堆積膜を形成し，堆積膜形成とTiN加工をin-situで行うことで，堆積膜越しにTiNを加工できることが分かった。