講演情報
[17a-M_103-4]金属ゲート電極を介した窒素ラジカル後処理がゲートスタック界面構造に及ぼす効果
〇矢野 瑞紀1、城戸 ほの佳1、近藤 博基1 (1.九大シス情)
キーワード：
ゲートスタック構造、窒素ラジカル、成膜後処理
ナノシート世代の metal gate/high-k ゲートスタックにおける元素プロファイル制御手法として，イオン成分を除去したラジカルのみによる成膜後窒素ラジカル処理の効果を検討した．TiN/HfO2/SiO2/Si 構造に対する窒素ラジカル後処理により，TiN 内部および酸化膜中への窒素導入が確認される一方で，飽和容量の顕著な増大は認められず，TiN 表面からの処理が HfSiO/SiO2積層構造に変化を誘起したことが示唆された．