講演情報

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[17a-M_103-5]窒素ラジカル後処理によるHigh-kゲート絶縁膜の定電流ストレス体制改善とTiN膜厚依存性

〇城戸ほの佳¹、矢野瑞紀¹、近藤博基¹ (1.九大シス情)

キーワード：

窒素ラジカル、リーク電流、絶縁破壊

ナノシートトランジスタへの適用を想定し, High-kゲートスタックに対してTiNゲート電極上から窒素ラジカルを照射した. 窒素ラジカル後処理により，定電流ストレス印加後のMOSキャパシタ（TiN/HfSiO_x/SiO₂/Si）のリーク電流が抑制された. また, TiN膜厚20 nmの試料は5 nmと比較すると, 窒素ラジカル処理の有無にかかわらず, 絶縁破壊に至るまでの注入電荷量が増大することが明らかになった. 本講演では, 定電流ストレス印加前後におけるリーク電流特性のTiN膜厚依存性および窒素ラジカル後処理の効果について報告する.

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