[17a-M_103-1~13] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

11:15 〜 11:30

[17a-M_103-9] ECRプラズマを用いたラジカルエッチングの面内分布制御

〇岩瀬 拓¹、井上 湧次¹、中谷 侑亮²、園田 靖² (1.日立研開、2.日立ハイテク)

キーワード：

ドライエッチング、RAXIO、ラジカル加工

半導体の微細化・3次元化により等方性加工の重要性が増し、荷電粒子を遮蔽しラジカルのみで加工するラジカルエッチングが注目されている。大口径ウェハの均一加工が課題であり、本研究ではECRプラズマの磁場条件とラジカル密度分布の関係をシミュレーションと実験で解析し、加工速度分布で制御性を評価した。結果として、磁場制御によりラジカル生成領域が変化し、均一性と加工速度に影響することを確認した。