[17a-M_278-1~13] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

9:00 〜 9:15

[17a-M_278-1] CeO₂-HfO₂厚膜の強誘電性および厚膜の配向依存性

〇今村 隼士¹、岡本 一輝¹、井上 ゆか梨²、舟窪 浩¹ (1.東京科学大、2.TDK株式会社)

キーワード：

強誘電、酸化ハフニウム、PLD法