講演情報
[17a-M_278-12]レーザー励起光電子顕微鏡を用いたInZnOx/Hf0.5Zr0.5O2/TiN
強誘電体キャパシタにおけるマルチリークパス形成の電界依存性の観察
〇(D)糸矢 祐喜1、藤原 弘和3,4、Cédric Bareille2、谷内 敏之3,4、小林 正治1 (1.東大生研、2.東大物性研、3.東大新領域、4.東大MIRC)
キーワード：
強誘電体材料、強誘電体キャパシタ、絶縁破壊
我々は、HfO2系強誘電体(FE-HfO2)の絶縁破壊を説明するモデルの構築に向け、高分解能かつ広視野で観察可能で、非破壊でのリークパス形成箇所を可視化可能なレーザー励起光電子顕微鏡(Laser-PEEM)を用いてInZnOx(2:1)/HfZrOx(1:1)/TiNの層構造の強誘電体キャパシタのリークパス形成(LPF)のin-situ観察を行った。本発表ではLPFの電界依存性を取得し、面内分布が印加電界に依存して変化することを示した。本成果はFE-HfO2の絶縁破壊の電界依存性の解明に資する成果である。