[17a-M_278-1~13] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

12:15 〜 12:30

[17a-M_278-13] HfO₂系強誘電体キャパシタにおける電界サイクリング誘起変化の局所C–Vマッピング観察

〇平永 良臣¹、糸矢 祐喜²、小林 正治² (1.東北大通研、2.東大生研)

キーワード：

強誘電体、プローブ顕微鏡、酸化ハフニウム

本講演では，局所C–Vマッピング法を用いてHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の電界サイクリングに伴う局所スイッチング特性変化を評価し，wake-upおよび分極疲労の起源をナノスケールのドメインダイナミクスの観点から議論する．