講演情報
[17a-M_278-3]分極軸配向したHfO2基強誘電体膜の作製と評価
〇土屋 裕太郎1、中村 美子1、古賀 彩月1、今村 隼士1、岡本 一輝1、山岡 和希子2、加賀谷 康永2、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東京科学大学、2.TDK株式会社)
キーワード：
強誘電体、酸化ハフニウム、パルスレーザー堆積法
2011年の強誘電性の報告以降、HfO2基強誘電体膜は、その優れたスケーラビリティやCMOS適正から次世代メモリ材料として注目を集めてきた。しかし、HfO2基強誘電体膜における自発分極等の基礎特性を実験的に評価した研究例は少なく、その解明のためには、分極軸が電界を印加する方向に配向したエピタキシャル膜の作製が必要である。本研究では、電極基板上に分極軸配向したエピタキシャル薄膜の作製を行ったので、報告する。