講演情報
[17a-M_278-6]Y添加HfO2薄膜におけるOrthorhombic相形成に及ぼすY濃度および酸素欠損量の影響
〇宇田川 浩太1、塚本 貴広1、一色 秀夫1 (1.電通大情報理工学)
キーワード：
強誘電体薄膜、二酸化ハフニウム、酸素欠損
本研究では、デジタル処理 DC スパッタリング法を用いて Y 添加 HfO2 薄膜を作製し、Y 濃度および酸素欠損量を系統的に制御した。XRD 解析の結果、Y 濃度の増加により Monoclinic 相が抑制され、Orthorhombic相が優勢となることが明らかとなった。一方、酸素欠損量は一定範囲では O 相形成に大きな影響を与えず、Y 濃度がより支配的因子であることが示唆された。