講演情報
[17a-M_278-8]機械学習分子動力学シミュレーションによるHfO2結晶の強誘電特性とα-HfO2/SiO2界面ダイポール層の再現
〇(B)野村 拓樹1、西村 祐介1、大場 淳平1、内藤 真慈1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
キーワード：
強誘電性、分子動力学法
残差学習を導入した機械学習ポテンシャルを用いた分子動力学法により、強誘電性を示す結晶HfO2の電界印加シミュレーションおよび、アモルファスのHfO2/SiO2界面構造に対するシミュレーションを行った。その結果、強誘電材料特有の分極-電界ヒステリシスおよび、界面に生じる電気的ダイポール層の再現に成功した。