講演情報
[17a-PB1-11]GTO薄膜のGa/Sn組成比におよぼす成膜温度の影響
〇(M1)豊岡 柊人1,2、高橋 勲2,3、松田 時宜1、金子 健太郎2,3 (1.近大院総理工、2.立命館大学総研、3.立命館大半導体応用研究センター)
キーワード：
半導体、薄膜、温度
Ga-Sn-O（GTO）は透明酸化物半導体として薄膜トランジスタやメモリスタへの応用が期待されているが、薄膜中のGa/Sn組成比制御は課題である。本研究では、ミストCVD法により成膜したGTO薄膜について成膜温度の影響を検討した。その結果、薄膜組成は成膜温度に強く依存し、制御因子は成膜温度であること、さらに約500℃付近の成長で前駆体溶液中の組成比と一致することが明らかとなった。