講演情報

[17a-PB1-15](1120) V2O3薄膜における金属絶縁体転移近傍の異方的な金属伝導

〇木下 裕貴1、相馬 拓人1、大友 明1、吉松 公平1 (1.科学大物質理工)

キーワード:

遷移金属酸化物、金属絶縁体転移

V2O3は約150 Kで構造相転移を伴う金属絶縁体転移を示し,バルク体ではc軸垂直・平行方向において電気・光学伝導の異方性が報告されている.しかし,電流パスが大きいバルク体試料では本質的な電気伝導異方性の評価は困難である.そこで本研究では,(11-20)配向V2O3エピタキシャル薄膜を作製し,c軸垂直・平行方向に高いアスペクト比を持つ十字構造へ微細加工することで,金属絶縁体転移近傍の金属相における電気伝導の異方性を観測した.