講演情報
[17a-PB1-16]室温での金属絶縁体転移発現に向けたCrドープV2O3薄膜の固相合成
〇(B)藤原 穣成1、木下 裕貴1、相馬 拓人1、大友 明1、吉松 公平1 (1.科学大物質理工)
キーワード：
遷移金属酸化物、金属絶縁体転移、V2O3
約1％CrドープしたV2O3は，室温で低温PM相から高温PI相への金属絶縁体転移を起こすが，薄膜形状ではこの相転移が消滅する．消失の原因が高温真空下での薄膜合成による[Cr]/[V]組成ズレやエピタキシャル成長による基板からの圧縮応力に由来すると考え，室温薄膜堆積による正確な組成転写とポストアニールによる結晶化を組み合わせた反応性固相合成法により薄膜を作成し，X線回折測定及び電気特性評価を行った．