講演情報
[17a-PB1-17]基板バイアスを導入したRFマグネトロンスパッタ法によるTiO2(001)基板上VO2薄膜の作製と結晶性及び電気的特性の評価
〇工藤 圭介1、モハメッド シュルズ ミア1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)
キーワード：
二酸化バナジウム、エピタキシャル成長
二酸化バナジウム(VO2)は室温で単斜晶系の結晶構造を有し, 68℃付近で正方晶系へと結晶構造相転移を起こし，抵抗値が3～5桁変化する絶縁体-金属転移を示す相転移材料である．本研究では，基板バイアスを導入したRFマグネトロンスパッタ装置を用いてTiO2(001)基板上にVO2薄膜を成長させた．