講演情報
[17a-PB1-21]超高温動作スイッチ実現に向けた高品質 NbO₂薄膜の作製と電界誘起スイッチング特性
〇(B)梅崎 麻弥1、李 好博1,2、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大先導的学際研究機構)
キーワード：
強相関電子系、金属絶縁体転移
超高温で動作するBeyond-CMOSスイッチ材料NbO₂に着目し、PLDで単結晶基板上に薄膜を作製。成膜条件を最適化して結晶性・相純度を高め、XRDとラマンで品質を評価した。作製デバイスで電界/電流誘起の抵抗スイッチング特性を調べる。