講演情報
[17a-PB1-4]SrTiO3自立膜チャネルFETの二端子型リーク積分動作
〇田中 嵩祐1,2、井上 悠1、鬼頭 愛1、田村 雅史2、井上 公1,2 (1.産総研、2.東理大)
キーワード：
複合酸化物、自立膜、電界効果型トランジスタ
本研究ではSrTiO3自立膜を用いたFETにおいて、二端子型リーク積分動作を実証した。水溶性Sr4Al2O7犠牲層により得られたSrTiO3自立膜上に二層ゲート絶縁膜を有する素子を作製し、ゲート電圧固定下でドレイン電圧パルスを印加し、酸素欠損のドリフト拡散に起因するチャネル抵抗の変化を観測した。本成果は、単一素子で二端子・三端子動作を両立させ、柔軟かつ高効率な情報処理システムの構築に寄与する。