[17a-PB1-1~32] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17a-PB1-7] 大電力パルスマグネトロンスパッタを用いたIGZO薄膜トランジスタの作製と特性評価

永田 健人¹、長縄 晴哉²、竹中 弘祐²、節原 裕一²、〇太田 貴之¹ (1.名城大理工、2.阪大接合研)

キーワード：

スパッタリング、酸化物半導体