[17a-PB1-1~32] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17a-PB1-9] パルスレーザー堆積法を用いたニッケル酸化物La₄Ni₃O₁₀薄膜の作製

〇小谷 聡馬¹、松本 凌²、櫃田 英治^2,3、石田 洸希¹、田上 大翔¹、高野 義彦^2,3、田中 博美¹ (1.米子高専、2.NIMS、3.筑波大)

キーワード：

超伝導、薄膜、ニッケル酸化物

高圧下で超伝導を示すニッケル酸化物La₄Ni₃O₁₀の、PLD法によるエピタキシャル成長を目指し薄膜作製を試みた。LaAlO₃基板を用い成膜条件の検討を行った結果、XRD測定においてLa₄Ni₃O₁₀の(ool)、ピークが主相として得られ、高いc軸配向性が示唆された。また、成膜後のオゾンアニール処理により電気抵抗値が約39%減少したことから、薄膜内の酸素欠損の低減が推察される。