[17a-S2_201-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

12:00 〜 12:15

[17a-S2_201-11] エピタキシャル成長した Si0.7Ge0.3 薄膜における HBr プラズマによるドライエッチング

〇石井 聡太¹、尾崎 孝太郎²、矢野 瑛汰¹、佐分利 伊吹²、今井 友貴¹、堤 隆嘉³、石川 健治³、Yamamoto Yuji^4,2、Wen Wei-Chen⁴、牧原 克典^2,4 (1.名大工、2.名大院工、3.名大低温プラズマ、4.IHP)

キーワード：

HBr