2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[17a-S2_201-1~13]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2026年3月17日(火) 9:00 〜 12:45
S2_201 (南2号館)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[17a-S2_201-1]長期振動試験によるAu錘1軸MEMS加速度センサの耐久性評価

〇山田 虎人1、向出 千隼1、栗岡 智行1、町田 克之1、Chen Chun-Yi1、Chang Tso-Fu Mark1、曽根 正人1、三宅 美博1、伊藤 浩之1 (1.科学大)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[17a-S2_201-2]ワイドレンジAu錘1軸MEMS加速度センサにおける検出範囲の検討

〇向出 千隼1、山田 虎人1、栗岡 智行1、町田 克之1、Chun-Yi Chen1、Tho-Fu Mark Chang1、三宅 義博1、曽根 正人1、伊藤 浩之1 (1.科学大)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[17a-S2_201-3]超臨界二酸化炭素を用いた触媒化処理によるAu/Nylon複合繊維の創製

〇(M1)徐 榕蔚1、須田 匠海1、栗岡 智行1、Chiu Wan-Ting1、Chen Chun-Yi1、Chang Tso-Fu Mark1、佐藤 克成2、吉田 奈央2、黒子 弘道2、曽根 正人1 (1.科学大、2.奈良女大)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[17a-S2_201-4]Ti/Au積層九十九折ばねのばね定数に対するTi/Au膜厚の影響評価

〇高畑 寿志1、栗岡 智行1、山田 虎人1、向出 千隼1、町田 克之1、Chen Chun-Yi1、Chang Tso-Fu Mark1、三宅 美博1、伊藤 浩之1、曽根 正人1 (1.東京科学大学)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[17a-S2_201-5]Ti 板上の電解金めっき膜の機械特性に対するアニーリング処理の影響

〇十朱 悦誠1、栗岡 智行1、飯間 翔太1、町田 克之1、Chun-Yi Chen1、Tso-Fu Mark Chang1、伊藤 浩之1、三宅 美博1、曽根 正人1 (1.東京科学大学)
10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[17a-S2_201-6]円形金錘1軸静電容量型MEMS加速度センサの構造とデバイス特性評価

〇奥村 雅子1、栗岡 智行1、山田 虎人1、森 達彦1、向出 千隼1、Chen Chun-Yi1、Chang Tso-Fu Mark1、三宅 美博1、伊藤 浩之1、町田 克之1、曽根 正人1 (1.東京科学大学)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー英語発表

[17a-S2_201-7]Substrate-Dependent Ruthenium Electrodeposition for Interconnect Applications

〇(D)Zhitao Hu1, Kurioka Tomoyuki1, Yung-Jung Hsu1,2, Tso-Fu Mark Chang1, Katsuyuki Machida1, Hiroyuki Ito1, Miyake Yoshihiro1, Masato Sone1 (1.Science Tokyo, 2.NYCU)
11:00 〜 11:30

[17a-S2_201-8][第47回優秀論文賞受賞記念講演] 中空ゲルマニウム構造を用いたGe-on-Insulator基板の作製

〇山本 圭介1,2、王 冬2、Roger Loo3,4、Clement Porret3、Jinyoun Cho5、Kristof Dessein5、Valerie Depauw3 (1.熊大、2.九大、3.imec、4.Ghent Univ.、5.Umicore)
11:30 〜 11:45英語発表

[17a-S2_201-9][The 47th Young Scientist Award Speech] Formation and contact resistivity of Sc germanosilicides on Si1-xGex:B

〇Bert Pollefliet1,2, Clement Porret2, Jean-Luc Everaert2, Kiroubanand Sankaran2, Olivier Richard2, Thierry Conard2, Han Han2, Anja Vanleenhove2, Roger Loo2,3, Christophe Detavernier3, Andre Vantomme1, Clement Merckling1,2 (1.KU Leuven, 2.imec, 3.Ghent Univ.)
11:45 〜 12:00

[17a-S2_201-10]CF4/H2プラズマ照射がSiおよびSi0.7Ge0.3の表面反応に及ぼす影響

〇(M1)佐分利 伊吹1、尾崎 孝太朗1、今井 友貴1、堤 隆嘉2、石川 健治2、Yamamoto Yuji3,1、Wen Wei-Chen3、牧原 克典1,3 (1.名大院工、2.名大低温プラズマ、3.IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik)
12:00 〜 12:15

[17a-S2_201-11]エピタキシャル成長した Si0.7Ge0.3 薄膜における HBr プラズマによるドライエッチング

〇石井 聡太1、尾崎 孝太郎2、矢野 瑛汰1、佐分利 伊吹2、今井 友貴1、堤 隆嘉3、石川 健治3、Yamamoto Yuji4,2、Wen Wei-Chen4、牧原 克典2,4 (1.名大工、2.名大院工、3.名大低温プラズマ、4.IHP)
12:15 〜 12:30

[17a-S2_201-12]極薄a-Si/Ni/SOI構造におけるシリサイド化反応–Ni膜厚依存性

〇足立 将剛1、今井 友貴1、鷲岡 拓宙1、田岡 紀之3、牧原 克典1,2 (1.名大院工、2.IHP、3.愛工大院工)
12:30 〜 12:45

[17a-S2_201-13]熱処理温度が極薄Si/Ni/SOI構造のシリサイド化反応に及ぼす影響

〇鷲岡 拓宙1、今井 友貴1、足立 将剛1、佐分利 伊吹1、田岡 紀之2、尾崎 孝太朗1、牧原 克典1,3 (1.名大院工、2.愛工大工、3.IHP)
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