[17a-S2_201-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

12:15 〜 12:30

[17a-S2_201-12] 極薄a-Si/Ni/SOI構造におけるシリサイド化反応–Ni膜厚依存性

〇足立 将剛¹、今井 友貴¹、鷲岡 拓宙¹、田岡 紀之³、牧原 克典^1,2 (1.名大院工、2.IHP、3.愛工大院工)

キーワード：

シリサイド化、極薄