[17a-S2_201-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

11:00 〜 11:30

[17a-S2_201-8] [第47回優秀論文賞受賞記念講演] 中空ゲルマニウム構造を用いたGe-on-Insulator基板の作製

〇山本 圭介^1,2、王 冬²、Roger Loo^3,4、Clement Porret³、Jinyoun Cho⁵、Kristof Dessein⁵、Valerie Depauw³ (1.熊大、2.九大、3.imec、4.Ghent Univ.、5.Umicore)

キーワード：

ゲルマニウム、Ge-on-Insulator、貼り合わせ