講演情報
[17a-S2_203-1]最先端構造トランジスタを試作可能な共用プロセスの開発
〇林 喜宏1、入沢 寿史1、水林 亘1 (1.産総研)
キーワード：
先端半導体 共用パイロットライン、GAAFET、選択エピタキシャル成長技術
最先端ロジック半導体で使用されるゲートオールアラウンド（GAA）構造のトランジスタを独自技術に基づき実現するとともに、コンソーシアム参加企業などが利用可能な共用パイロットラインを確立した。
多段シリコンナノシートを形成するシリコン・シリコンゲルマニウム結晶膜成膜技術、シリコンナノシート層のみを残してシリコンゲルマニウム層を選択エッチングする技術、S/D領域へのSi：PやSiGe:Bの選択エピタキシャル成長技術、トランジスタのしきい値を制御するためのゲート絶縁膜厚と金属膜厚を精密に調整する原子層堆積（ALD）技術などが必須であり、産総研スーパークリーンルームにおいてこれらのプロセスを新たに開発した。
多段シリコンナノシートを形成するシリコン・シリコンゲルマニウム結晶膜成膜技術、シリコンナノシート層のみを残してシリコンゲルマニウム層を選択エッチングする技術、S/D領域へのSi：PやSiGe:Bの選択エピタキシャル成長技術、トランジスタのしきい値を制御するためのゲート絶縁膜厚と金属膜厚を精密に調整する原子層堆積（ALD）技術などが必須であり、産総研スーパークリーンルームにおいてこれらのプロセスを新たに開発した。