[17a-S2_203-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

12:00 〜 12:15

[17a-S2_203-12] 改良型 α Power ModelによるGate-All-Aroundトランジスタの直列寄生抵抗解析

〇上嶋 和也¹、八木下 淳史¹、熊谷 直人¹、Chen Chia-Tsong¹、深沢 正永¹、浅沼 周太郎¹、亀井 利浩¹、石田 夕起¹、岡田 直也¹、間部 謙三¹、笠嶋 悠司¹、森田 行則¹、入沢 寿史¹、水林 亘¹、太田 裕之¹、伊藤 文則¹、松川 貴¹、林 喜宏¹ (1.産総研　SFRC)

キーワード：

Gate-all-around (GAA) FET、直列寄生抵抗、α Power-law model

Gate-all-around (GAA) FETは、MOSFET微細化に有利だが、ソース・ドレイン間の直列寄生抵抗（R_pr）は深刻な問題である。そこで本研究では、α power law model を用いた解析手法を新しく提案した。多数の実測データへのフィッティングの結果、線形・飽和領域とも予想値に近い値が得られ、GAAFETの寄生抵抗を簡便かつ合理的に抽出できる可能性を示すことができた。