講演情報
[17a-S2_203-2]シリコンナノシートMOSFETのフォノン起因電子移動度のゲート電圧依存
〇福田 浩一1、服部 淳一1、林 喜宏1 (1.産総研)
キーワード：
半導体、ナノシート、移動度
シリコンナノシートMOSFETにおけるフォノン起因電子移動度のゲート電圧依存性を解析した。Poisson-Schrodinger連成計算により量子閉じ込め状態を求め、波動関数を用いてフォノン散乱律速移動度を評価した。その結果、ダブルゲート構造では弱反転領域において移動度が反転電荷密度に依存しない特有の挙動を示すことを明らかにした。