[17a-S2_203-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:30 〜 9:45

[17a-S2_203-3] Siナノシート電界効果トランジスタの静特性とインナースペーサー長の関係

〇服部 淳一¹、福田 浩一¹、池上 努¹、八木下 淳史¹、林 喜宏¹ (1.産総研)

キーワード：

ナノシート、デバイスシミュレーション、TCAD