[17a-S2_203-1~12] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

11:00 〜 11:15

[17a-S2_203-8] 低熱履歴化FLAによるHfO₂ゲートスタックのリーク電流の低減

〇渡邉 迅登¹、満田 勝弘¹、牧 唯人¹、森田 行則²、太田 裕之²、林 喜宏²、加藤 慎一¹、三河 巧¹ (1.SCREENセミコンダクターソリューションズ、2.産総研SFRC)

キーワード：

熱処理、ゲートスタック、HfO2

ロジックデバイスの微細化に伴いゲート酸化膜としてHfO₂が用いられる。堆積後の欠陥低減にはPost-Deposition Annealing (PDA)が重要な役割を果たす。本報告では、低熱履歴化したフラッシュランプアニール（FLA）でのPDAによるHfO₂ゲートスタックの電気特性の影響を議論する。