[17a-S4_203-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[17a-S4_203-10] CFET SRAMにおけるソフトエラーのシミュレーション解析

〇(BC)Cierra Filbert Vanness¹、鎌倉 良成¹ (1.阪工大情)

キーワード：

デバイスシミュレーション、ソフトエラー、CFET

トランジスタに放射線が入射することで発生するソフトエラー現象は，集積回路の信頼性に関わる深刻な問題の一つと認識されている．次世代半導体の有望技術とされるCFETは，放射線が複数トランジスタを同時に通過する可能性が今後高まることが予想される．本研究では，TCADおよびSPICEシミュレーションを用いてCFET SRAMのSingle Event Upset（SEU）を解析し背後にある物理機構を詳しく調べるとともに，エラーの生起を予測するためのモデルについて検討した．