講演情報
[17a-S4_203-11]MOSFETのドレイン電流飽和に対する誤った解釈とその再考察
〇執行 直之1 (1.自由業)
キーワード:
ピンチオフ、速度飽和、ドレイン電流飽和
ドレイン電圧を高くすると,ドレイン電流は飽和する.従来,飽和の理由はチャネルのドレイン端のピンチオフ(電荷が0)と解釈されてきた.しかし,電荷が0だと電流連続のためにキャリア速度は∞になり,物理的に誤りである.1980年に,速度飽和がドレイン電流の飽和の理由で,電荷は0にはならないことが示された.本稿では,ドレイン電流の飽和の理由を飽和電流と飽和電圧のチャネル長依存性から再考察する.
