講演情報
[17a-S4_203-4]ZnSe/ZnS コア/シェル量子ドットの光学禁止帯幅のシェル厚依存性：強束縛近似による解析
〇Lim JIN HYONG1、森 伸也1 (1.阪大院工)
キーワード：
量子ドット、光学禁止帯幅、強束縛近似法
ZnSe/ZnS コア/シェル量子ドット (QD) は紫外から青色の LED 用材料として注目されている．本研究では，原子価力場 (VFF) モデルと強束縛近似 (TB) 法とを用いて，ZnSe/ZnS コア/シェル QD の光学禁止帯幅のシェル厚依存性を調べた．