講演情報
[17a-S4_203-5]MEMSデバイス作製のための
電解めっき膜制御に向けたパターン密度の検討
〇坂梨 航太1、栗岡 智行1、町田 克之1、Chen Chun-Yi1、Chang Tso-Fu Mark1、三宅 美博1、伊藤 浩之1、曽根 正人1 (1.東京科学大学)
キーワード：
電解めっき、電流密度分布、電解銅めっき膜
本研究では、電解銅めっき反応の作用極を構成するパターン密度（微小電極の配置）が、めっき膜成長に与える影響を有限要素法で解析したので報告する。作用極を構成するパターンを高密度に配置するに連れ、作用極近傍の銅イオン濃度分布の均一性が向上した。これは電極面積が増加し、電流密度分布が狭まったためである。すなわち、電極面積の増加により、銅イオン消費速度の均一性が向上し、電解銅めっき膜の均一性向上も期待できると結論づけられる。