[17a-S4_203-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

11:00 〜 11:15

[17a-S4_203-8] (111)面ゲルマニウムダブルゲートMOSFETの移動度異方性の理論計算

〇福田 浩一¹、服部 淳一¹、前田 辰朗¹ (1.産総研)

キーワード：

半導体、ゲルマニウム CFET、電子移動度

本研究では、(111)面ゲルマニウムダブルゲートMOSFETにおける移動度の方向依存性を、Poisson-Schrodinger法とセルオートマトン法を自己無撞着に連成したシミュレーションにより解析した。Lバレーの有効質量異方性とサブバンド占有を考慮した結果、各バレーの移動度は強い角度依存性を示す一方、縮退バレー間の寄与が相殺され、トータル移動度はほぼ等方的となることを示した。