[17a-W8E_101-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 | 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-W8E_101-1~11]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2026年3月17日(火) 9:00 〜 12:00

W8E_101 (西8号館)

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[17a-W8E_101-1]微細誘電体空洞内の選択成長によるInP/InGaAsラテラルHBTの製作

〇渡辺翔太¹、宮本恭幸¹ (1.科学大)

9:15 〜 9:30

[17a-W8E_101-2]InP系HBT適用に向けたHI,Cl₂ドーズガスを用いたInGaPのArプラズマ原子層エッチングにおけるエッチング諸特性評価

〇新井崇平¹、白鳥悠太¹、星拓也¹、尾崎史朗¹、中島史人¹ (1.NTT)

9:30 〜 9:45

[17a-W8E_101-3]p型ダイヤモンドショットキーバリアダイオードにおける深い準位を介したトンネル伝導

〇河野慎¹、谷保芳孝¹、平間一行¹ (1.NTT物性研)

9:45 〜 10:00

[17a-W8E_101-4]f_MAX>120 GHzのダイヤモンドMOSFETのバイアス電圧依存性

サハニロイ　チャンドラ¹、江口正徳²、大石敏之¹、冨木淳史³、〇嘉数誠^1,4 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン、3.JAXA宇宙研、4.（株）ダイヤモンドセミコンダクター)

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[17a-W8E_101-5]6.8 WダイヤモンドMOSFET（ゲート幅7.2 mm）の作製

〇(M1C)橋本悠¹、サハニロイ　チャンドラ¹、江口正徳²、嘉数誠^1,3 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン、3.（株）ダイヤモンドセミコンダクター)

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[17a-W8E_101-6]樹脂封止をしたダイヤモンドMOSFETの192時間DC連続動作

〇(M1)牟田吉希¹、ニロイチャンドラサハ¹、江口正徳²、大石敏之¹、冨木淳史³、嘉数誠^1,4 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン、3.JAXA宇宙科学研究所、4.（株）ダイヤモンドセミコンダクター)

10:45 〜 11:00

[17a-W8E_101-7]イオンカット基板上におけるGaNエピタキシャル成長の課題とその解決策

〇藤田高吉¹、澤田達郎¹、和田竜垂¹、山﨑剛¹、小松直佳¹、磯山和基¹、清水悦朗¹ (1.京セラ株式会社)

11:00 〜 11:15

[17a-W8E_101-8]イオンカットGaN基板を用いたGaN HEMTデバイスの実証

〇澤田達郎¹、和田竜垂¹、藤田高吉¹、山﨑剛¹、小松直佳¹、礒山和基¹、清水悦朗¹ (1.京セラ株式会社)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[17a-W8E_101-9]AlSiOゲート酸化膜GaN MOSFETの正バイアスストレスによるしきい値電圧変動の温度依存性のPDA条件による違い

〇市川雄基¹、平田拓巳¹、兼近将一²、加地徹²、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

11:30 〜 11:45

[17a-W8E_101-10]GaN系ゲート絶縁膜応用を目指したミストCVD法によるAlSiO薄膜の堆積と評価

〇谷田部然治¹、石原優²、中村有水²、坂田哲也³、藤村俊伸³ (1.北大量集センター、2.熊本大、3.日油(株))

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[17a-W8E_101-11]SiO₂スパッタ成膜に起因するGaN表面近傍欠陥の評価

〇(B)高岡真成¹、原征大¹、陳強¹、野﨑幹人¹、小林拓真¹、渡部平司¹ (1.阪大工・院工)

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