[17a-W8E_101-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45

[17a-W8E_101-10] GaN系ゲート絶縁膜応用を目指したミストCVD法によるAlSiO薄膜の堆積と評価

〇谷田部 然治¹、石原 優²、中村 有水²、坂田 哲也³、藤村 俊伸³ (1.北大量集センター、2.熊本大、3.日油(株))

キーワード：

AlSiO、ミストCVD、GaN

AlSiOゲート絶縁膜はGaNに対して広い禁制帯幅を有しており比誘電率もSiO₂よりも大きく、またAl₂O₃よりも結晶化温度が高いためGaN系縦型トランジスタのゲート絶縁膜として有望視されている 。AlSiOゲート絶縁膜の堆積には一般的にPEALD法などの真空プロセスが用いられる。本研究では大気圧プロセスで堆積速度が比較的速いミスト化学気相成長法によりSi基板上にAlSiO薄膜を堆積し基礎物性を評価したので報告をする。