[17a-W8E_101-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[17a-W8E_101-11] SiO₂スパッタ成膜に起因するGaN表面近傍欠陥の評価

〇(B)高岡 真成¹、原 征大¹、陳 強¹、野﨑 幹人¹、小林 拓真¹、渡部 平司¹ (1.阪大工・院工)

キーワード：

窒化ガリウム、深準位過渡分光法、ショットキー障壁ダイオード